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中国台湾企业斥巨资进攻10纳米DRAM

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台塑集团旗下DRAM大厂南亚科董事会昨(6)日决议,上调今年资本支出上限金额,由2月通过的92亿元,增至157.6亿元,增幅达71.3%,更比去年大增1.9倍,将用来冲刺10 纳米制程技术自主研发,建置10纳米制程试产线。
法人指出,新冠肺炎冲击全球,半导体市况趋于混沌之际,南亚科逆势调高资本支出,凸显公司加速10纳米制程量产脚步的决心,以因应后续疫情退散后,市场需求庞大商机。
南亚科表示,2月董事会原订今年资本支出上限92亿元,年增逾67%,其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米递延等资本支出。因应实际需求,昨天董事会决定将今年资本支出再新增65.6亿元,比原订金额增加71.3%,让今年资本支出推升至不超过157.6亿元。
南亚科表示,这次增加资本支出金额,主要是建置10纳米制程试产线。
南亚科早在三年前就决定自主研发10纳米,时间点也就是在与美光敲定全数处分华亚科股权给美光之后,虽然当时南亚科拿到价值数百亿元的美光股票和现金,也保留可以选择在1x纳米向美光授权的交换条件,但在考量技术自主下,就开始投入10纳米研发,经历三年时间,在成功产出1A制品后,今年元月初正式通知美光,将自主研发。
南亚科的10纳米分成A、B、C三个世代,这个制程和美光原本的20纳米相比,就是南亚科采用的记忆储存细胞(Cell)可进行微缩, 因此可由1A逐步推进至1B再到1C。
其中,1A世代已预定今年下半年试产,1B制程技术也开始研发阶段,预计2022年前导入试产,后续会开发第三代1C制程技术,这次建置试产线,也就是为了投入1A世代制程进行试产。
南亚科提高今年资本支出上限至157.6亿元,远高于去年的55亿元,但仍低于2017年的294亿元及2018年的208亿元。南亚科昨天股价涨0.3元,收63.3元。
法人认为,南亚科决定加速10纳米制程试产脚步,应是自主研发的DDR4 DRAM成功重返伺服器市场,而且在PC DRAM领域,也屡获一线大厂青睐,为南亚科经营团队,注入强心针。
南亚科冲刺10纳米制程自主研发,以及DRAM与逻辑元件异质芯片整合能力,今年将扩大征才近200人,增幅逾二成,将整体研发大军扩编至千人规模,相关征才作业已紧锣密鼓进行。
南亚科是继美光宣布在台扩大招募人才之后,又一家看好DRAM在第五代移动通讯(5G)和人工智能(AI)快速发展下,带动各项边缘运算应用增加,加入抢人才行列的大厂。
南亚科总经理李培瑛表示,今年正式迈入自主研发10纳米技术试产,扩编研发阵容是必要之策。他坦承,台积电大幅提高资本支出、吸纳人才,加上对岸重新启动来台挖角,南亚科这波征才可能会面临不小的压力。
不过,李培瑛强调,南亚科近年大幅提升员工福利,也针对菁英人员祭出优渥留才措施,加上这几年在市场、客户和产品组合布局,都有良好成效。
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